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Dispositivo para aplicaciones de potencia y ambientes con radiación alta

Científicos del CSIC en el Instituto de Microelectrónica de Barcelona - Centro Nacional de Microelectrónica, han desarrollado unos transistores JFET que pueden ser utilizados en aplicaciones o entornos con una alta radiación, en los que los JFET estándar fallan debido al exceso de radiación.

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Materiales sólidos fotocrómicos reversibles para dispositivos reescribibles

Científicos  del CSIC y del Departamento de Química de la UAB del grupo Nanosfun en el Instituto Catalán de Nanociencia y Nanotecnología (ICN2) han desarrollado una estrategia novedosa y sencilla para obtener materiales sólidos que cambian de color cuando son expuestos a la luz visible. Se pueden aplicar a dispositivos regrabables multicolores.

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Sensor de presión de bajo coste, compatible y estable

Investigadores del CSIC en el Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM) han desarrollado un sensor de presión de muy bajo coste. Muy pequeño, se puede integrar monolíticamente en un circuito, lo que reduce drásticamente el coste de producción. Se puede aplicar en campos como el envasado de alimentos, la aeronáutica, el automóvil, la teledetección, la salud...

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Una célula foto-termoeléctrica convierte la energía térmica en electricidad

Investigadores del Instituto de Ciencias de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC) han desarrollado una célula foto-termoeléctrica capaz de producir electricidad al verse sometida a diferencias de temperatura y formar parte de un generador termoeléctrico.

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El CSIC presenta nanotecnologías en Imaginenano 2018

El CSIC ha participado en Imaginenano 2018, la cuarta edición del mayor evento europeo en nanociencia y nanotecnología, que se ha celebrado en Bilbao.

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